独特的直拉单晶工艺，先进的单晶炉控制系统，具有较低的拉速和温度波动，有效地控制杂质和缺陷，提高硅片电学性能、提高硅片的径向电学性能集中度。
全新研发设计单晶热场，优异的现场工艺，具有超低氧含量（≤14PPMA），电池转换效率低衰减特点。
独特的电阻控制技术，使得硅片电阻具有更低、更集中的分布，控制硅片电阻率平均值0.65±0.03Ω·CM，更适合高效单晶PERC电池技术。
单晶全工序高纯管理，减少深能级杂质含量，确保单晶硅片高少子寿命特点，少子标准高于行业，高品质发货。
